💻 TSMC, HBM 패키징 당분간 '마이크로범프'…협력사에 5μm 숙제
https://n.news.naver.com/mnews/article/030/0003462759
📌 HBM5 초입까지 마이크로범프 간다
TSMC, 소재·장비 협력사에 5μm급 접합 및 언더필 개발 요청
현재 HBM3E 범프 높이는 15~25μm, HBM4는 약 10μm 수준으로 5μm는 추가 미세화가 필요한 영역
양산 시점은 2028년 하반기로 예상돼 HBM4 후반~HBM5 초입까지 마이크로범프 적용 가능성
📌 하이브리드 본딩 도입 시점 뒤로 밀릴 가능성
범프 없이 구리 패드를 직접 접합하는 하이브리드 본딩이 차세대 기술로 거론됐지만 수율·검사·양산 안정성이 부담
TSMC는 로직 적층 SoIC에는 직접 접합을 적용하고 있으나 HBM-CoWoS 연결은 검증된 마이크로범프 유지
SK하이닉스 역시 HBM4·HBM4E까지 MR-MUF 기반 마이크로범프를 유지하고 HBM5·20단 이후 직접 접합을 검토하는 로드맵
📌 핵심 병목은 ‘5μm 대응 언더필’
5μm급에서는 보이드 없는 충진, 잔류 플럭스 제거, 정밀 접합 정렬을 동시에 해결해야 해 공정 난도 급상승
업계에서는 범프 자체보다 5μm 이하에서도 품질을 보증할 수 있는 언더필 소재 개발을 핵심 과제로 평가
TSMC 요청에 따라 한국·일본 소재 및 장비 공급망이 개발에 착수
📌 투자 포인트는 기존 패키징 소재·장비의 수명 연장
하이브리드 본딩 전환이 늦어질 경우 MR-MUF·TC-NCF·언더필·마이크로범프 관련 기존 공급망의 기술 수명이 예상보다 길어질 가능성
동시에 10μm→5μm 미세화 과정에서 고성능 언더필과 정밀 접합·검사 장비의 기술 장벽 상승
HBM 고단화가 이어져도 기존 공정 생태계가 단기간에 대체되기보다 고도화되는 방향이라는 점이 핵심
💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치]
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