🔥 چرا مهندسان قدرت این روزها بیشتر از خودِ MOSFET درباره «پکیج» صحبت میکنند؟
وقتی صحبت از MOSFETهای SiC میشود، معمولاً همه نگاهها به ولتاژ کاری، RDS(on) و سرعت سوئیچینگ دوخته میشود. اما شرکت Navitas در معرفی جدیدترین محصولات خود نشان داد که گاهی بزرگترین نوآوری، داخل تراشه نیست؛ بلکه در بستهبندی آن اتفاق میافتد.
این شرکت پکیج جدید UHV-TO-247-4-ISO را برای MOSFETهای SiC معرفی کرده است؛ پکیجی که یک ویژگی بسیار مهم دارد:
✅ خنکسازی مستقیم هیتسینک بدون نیاز به عایق حرارتی جداگانه
در طراحیهای متداول، گرما باید از چندین لایه مختلف عبور کند تا به هیتسینک برسد. هر لایه نیز مانند یک مقاومت حرارتی عمل میکند و مانع خروج سریع گرما میشود.
اما در طراحی جدید Navitas، از زیرلایه نیترید آلومینیوم (AlN) با ایزولاسیون داخلی بیش از ۶۰۰۰ ولت استفاده شده است. نتیجه چیست؟
🔹 مقاومت حرارتی اتصال تا هیتسینک تا ۶۰٪ کاهش مییابد.
🔹 توان دفع حرارت تا ۱۵۰٪ افزایش پیدا میکند.
🔹 تعداد قطعات مورد نیاز در مونتاژ کمتر میشود.
🔹 قابلیت اطمینان سیستم افزایش مییابد.
اما داستان به همینجا ختم نمیشود.
ادامه مطلب
@Moallemekhoob
Forwarded fromکانال آموزش الکترونیک معلم خوب
1June 10, 2026 1.1K 4
